Ikeda Narime, Li Jiang, Kato Yoshihiro, Masuda Mitsuru, Yoshida Kiyoki
Tóm tắt
So với các thiết bị điện tử dựa trên SI thông thường, các thiết bị điện tử dựa trên GAN có khả năng đạt được điện áp cao chịu được điện áp và độ bền thấp và dự kiến sẽ đóng góp đáng kể vào hiệu quả cao và thu nhỏ của các nguồn năng lượng. Chúng tôi đã nghiên cứu một thiết bị thường giảm với điện áp tương đối thấp nhưng có điện áp cao bằng cách làm mỏng lớp ALGAN và chèn bóng đá tỷ lệ kèo nhà cái ALN trong bóng đá tỷ lệ kèo nhà cái GaN/Algan HFET (Heterojunon Field Effect Transitor). Sử dụng Algan/GaN Heteroepi trên các chất nền SI nhằm giảm chi phí cần thiết cho các thiết bị cung cấp điện, thông thường hoạt động với ngưỡng 0V đã đạt được.
Chúng tôi cũng đề xuất một bóng đá tỷ lệ kèo nhà cái diode duy nhất mới có thể làm giảm tổn thất và xác nhận rằng dòng điện bắt đầu chảy từ khoảng 0V, dẫn đến mức điện áp thấp. Một EPI của bóng đá tỷ lệ kèo nhà cái lớp mỏng Algan đã được áp dụng cho bóng đá tỷ lệ kèo nhà cái này để nhận ra một diode có dòng rò thấp và hoạt động điện áp thấp.
Văn bản đầy đủ (PDF 597KB)