Tăng trưởng MBE nguồn khí tỷ lệ kèo góc nhà cái vật liệu có bước sóng dài và ứng dụng tỷ lệ kèo góc nhà cái nó vào laser bán dẫn

Hitoshi Shimizu, Kouji Kumada, Nobumitsu Yamanaka, Norihiro Iwai, Tomokazu Mukaihara, Akihiko Kasukawa

Tóm tắt

Công việc đang diễn ra trong việc phát triển các thiết bị quang học và điện tử nhóm III-V sử dụng epitaxy phân tử nguồn khí (GSMBE), một phần mở rộng tỷ lệ kèo góc nhà cái epitaxy dầm phân tử trong đó nhóm V là nguồn khí (tro₃, PH₃). Tính đồng nhất cao tỷ lệ kèo góc nhà cái thành phần và độ dày đã đạt được bằng cách tối ưu hóa vị trí và điều kiện tăng trưởng. Khi xem xét việc áp dụng GSMBE lên các laser MQW 1.3 MQW, các laser MQW pha tạp loại N bằng cách sử dụng các giếng đa chất được nghiên cứu, vì GSMBE phù hợp với doping tỷ lệ kèo góc nhà cái các vùng cực kỳ bị hạn chế. Sử dụng laser có chọn lọc n-pha tạp đến 1 x 10¹⁸cm^-3Ở nhiệt độ tăng trưởng được tối ưu hóa, với chiều dài khoang 1200mm, mật độ hiện tại ngưỡng cực thấp J_THtỷ lệ kèo góc nhà cái 250 a/cm²đã đạt được. Điều này lần đầu tiên xác nhận sự siêu nhân tỷ lệ kèo góc nhà cái GSMBE đối với sự pha trộn N chọn lọc đối với mật độ hiện tại ngưỡng.

toàn văn (PDF 54KB)

• Trước
• Tiếp theo